理研計器|半導體工藝全流程之外延生長

發布時間:2023-06-14

每個半導體產品的制造都需要數百個工藝,我們將整個制造過程分為八個步驟:晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-外延生長-擴散-離子注入。

為幫助大家了解和認識半導體及相關工藝,我們將每期推送微信文章,為大家逐一介紹上述每個步驟。

如今隨著半導體技術的不斷發展,器件速度越來越快,存儲容量越來越大,半導體工藝中的關鍵尺寸也在不斷縮小,這也帶來了對光刻對準越來越高的要求,比如像以前 0.35微米的產品如果光刻對偏的 0.01微米,不會有太大的影響,但如果是0.13 微米甚至更精密的產品0.01微米的偏差已經會讓整個產品完全失效。

在這種背景下,外延生長作為一個必然會帶來圖形漂移的工藝,必須想辦法把漂移量穩定控制在可接受的范圍內,才能保證產品的穩定,才不會影響后面的工藝。
今天,我們就帶大家了解一下半導體的“外延生長”工藝。

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